特許
J-GLOBAL ID：201103021102796269
多結晶シリコンの製造方法、製造装置及び多結晶シリコン
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-186662
公開番号（公開出願番号）：特開2011-068553
出願日： 2010年08月23日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。【解決手段】反応炉1内のシリコン芯棒4に通電してシリコン芯棒4を発熱させ、シリコン芯棒4にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒4の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドRとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉1内の圧力を0.4MPa以上0.9MPa以下、シリコンロッドRの表面温度を1000°C以上1100°C以下に維持しながら、原料ガスを150°C以上600°C以下に予熱した後に反応炉1に供給するとともに、シリコンロッドRの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を2.0×10-7mol/sec/mm2以上3.0×10-7以下mol/sec/mm2の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、該シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、
前記反応炉内の圧力を0.4MPa以上0.9MPa以下、前記シリコンロッドの表面温度を1000°C以上1100°C以下に維持しながら、前記原料ガスを150°C以上600°C以下に予熱した後に前記反応炉に供給するとともに、前記シリコンロッドの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を2.0×10-7mol/sec/mm2以上3.0×10-7mol/sec/mm2以下の範囲内に維持しながら原料ガスを供給することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072GG05
, 4G072HH07
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072LL03
, 4G072MM01
, 4G072NN01
, 4G072NN14
, 4G072NN30
, 4G072RR04
, 4G072RR11
, 4G072RR28
, 4G072TT30
, 4G072UU02
