特許
J-GLOBAL ID:201403013886814143
イオン交換膜、イオン交換膜の製造方法及び電解槽
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 西本 博之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-203197
公開番号(公開出願番号):特開2014-058707
出願日: 2012年09月14日
公開日(公表日): 2014年04月03日
要約:
【課題】電解液中の不純物による電解性能への影響が少なく、安定した電解性能を発揮するイオン交換膜を提供する。【解決手段】イオン交換基を有する含フッ素系重合体を含む膜本体10と、該膜本体の少なくとも一方面上に設けられたコーティング層11a,11bとを有するイオン交換膜であって、前記コーティング層が、無機物粒子と結合剤とを含み、前記コーティング層の比表面積が、0.1〜10m2/gである、イオン交換膜。【選択図】図1
請求項(抜粋):
イオン交換基を有する含フッ素系重合体を含む膜本体と、該膜本体の少なくとも一方面上に設けられたコーティング層とを有するイオン交換膜であって、
前記コーティング層が、無機物粒子と結合剤とを含み、
前記コーティング層の比表面積が、0.1〜10m2/gである、イオン交換膜。
IPC (2件):
FI (2件):
C25B13/08 302
, C25B9/00 E
Fターム (8件):
4K021AA03
, 4K021AB01
, 4K021BA03
, 4K021CA04
, 4K021CA15
, 4K021DB10
, 4K021DB31
, 4K021DB34
引用特許:
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