特許
J-GLOBAL ID:201403016149887309

熱処理方法、熱処理装置およびサセプター

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-028799
公開番号(公開出願番号):特開2014-157968
出願日: 2013年02月18日
公開日(公表日): 2014年08月28日
要約:
【課題】フラッシュ光照射時における基板端縁部とサセプターとの接触を防止することができる熱処理方法、熱処理装置およびサセプターを提供する。【解決手段】面方位が(100)面の半導体ウェハーWには、直交する2つのへき開方向が存在しており、それらのうちの一方を示すようにノッチ9が設けられている。フラッシュ光照射時に半導体ウェハーWは、へき開方向に対して45°をなす2本の径のうちの一方を軸として上面を凸とするように反り、他方の径の両端が最も下側となる。サセプター74の保持プレート75の上面には同一の円周に沿って45°間隔で計8本の支持ピン77が立設されている。サセプター74に半導体ウェハーWを載置するときには、へき開方向に対して45°をなす径が複数の支持ピン77のいずれかによって支持されるようにしている。【選択図】図10
請求項(抜粋):
円板形状の基板にフラッシュ光を照射することによって当該基板を加熱する熱処理方法であって、 複数の支持ピンが立設されたサセプターに基板を載置し、前記複数の支持ピンによって前記基板の下面を支持する移載工程と、 前記サセプターに載置された前記基板の上面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記基板を加熱するフラッシュ加熱工程と、 を備え、 前記移載工程では、前記フラッシュ加熱工程にてフラッシュ光が照射されて前記基板が上面を凸とするように反ったときに最も下側になる部位と前記基板の中心とを結ぶ径が前記複数の支持ピンのいずれかによって支持されるように前記基板を載置することを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件):
H01L 21/26 ,  H01L 21/265
FI (3件):
H01L21/26 Q ,  H01L21/26 J ,  H01L21/265 602B
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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