特許
J-GLOBAL ID：201403017060789326

SiC基板の製造方法

発明者：
佐々木 有三

佐々木 有三 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  荒 則彦 ,  三國 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-276164
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120683
出願日： 2012年12月18日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
【課題】カーフロスを低減し、SiCインゴットから採取できるSiC基板の有効枚数を多く確保するとともに、平坦化処理に要する時間を大幅に低減することが可能なSiC基板の製造方法を提供する。【解決手段】SiC基板1の表面1aに、表面1aの最大高低差以上の膜厚の犠牲膜2を形成する犠牲膜2形成工程と、犠牲膜2の表面2aを機械加工により平坦化する犠牲膜2平坦化工程と、SiC基板1と犠牲膜2のエッチング選択比が0.5〜2.0の範囲になる条件でドライエッチングすることにより、犠牲膜2を除去すると同時にSiC基板1の表面1aを平坦化するSiC基板1平坦化工程と、を具備する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
SiC基板の表面に、前記表面の最大高低差以上の膜厚の犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、 前記犠牲膜の表面を機械加工により平坦化する犠牲膜平坦化工程と、 前記SiC基板と前記犠牲膜のエッチング選択比が0.5〜2.0の範囲になる条件でドライエッチングすることにより、前記犠牲膜を除去すると同時に前記SiC基板の前記表面を平坦化するSiC基板平坦化工程と、 を具備してなることを特徴とするSiC基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/12
FI (3件)：
H01L21/302 105B ,  C30B29/36 A ,  C30B33/12
Fターム (16件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077FB06 ,  4G077FG02 ,  4G077FG11 ,  4G077FG17 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F004BA08 ,  5F004BA20 ,  5F004CA06 ,  5F004DA01 ,  5F004DA18 ,  5F004DB00 ,  5F004DB19 ,  5F004EA38
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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