特許
J-GLOBAL ID：201003031510353926
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
高橋 省吾
, 稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-309723
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135552
出願日： 2008年12月04日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】MCPやCMP等の研磨工程や再度のエピタキシャル工程を経ることなく、精度良く炭化珪素層主表面の平坦化を行うことのできる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素層2の主表面2aより表面粗さの小さい平坦化膜6を炭化珪素層2の主表面2aを覆うように形成した後、活性化アニールを行う。その後、炭化珪素層2と平坦化膜6のエッチング速度がほぼ同一となるエッチング条件で、炭化珪素層2と平坦化膜6とを同時にエッチングし、最終的に平坦化膜6を完全に除去することによって、炭化珪素層2の主表面2aを精度よく平坦化することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた炭化珪素層の一部に不純物をイオン注入するイオン注入工程と、
前記不純物を活性化するためのアニールを行う活性化アニール工程と、
前記炭化珪素層の主表面よりも表面粗さの小さい平坦化膜により前記炭化珪素層の主表面を覆う平坦化膜形成工程と、
前記平坦化膜と前記炭化珪素層をほぼ同一のエッチング速度でドライエッチングする炭化珪素層平坦化工程と
を含む炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/265
, H01L 21/306
H01L29/78 658G
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L21/265 Z
, H01L21/265 F
, H01L21/265 602A
, H01L21/302 105B
5F004AA05
, 5F004DA18
, 5F004DA26
, 5F004DB03
, 5F004EB08
出願人引用 (3件)
審査官引用 (9件)
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