特許
J-GLOBAL ID：201403017290523279
サファイア単結晶育成用坩堝
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人貴和特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-064539
公開番号（公開出願番号）：特開2014-189425
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2014年10月06日
要約：
【課題】ブリッジマン法やVGF法でのサファイア単結晶の育成に使用する坩堝であって、育成終了後に、該坩堝を破壊せずに、サファイア単結晶を坩堝から取り出すことが可能な低コストのサファイア単結晶育成用坩堝を提供する。【解決手段】タングステン、または、タングステンとモリブデンからなる合金からなり、底面3と内周面4と開口2とを備え、前記内周面4は、前記底面3側から前記開口側2に向けて拡径する、0.8°〜3.0°のテーパ角αを有し、かつ、前記内周面4のうち、少なくともサファイア原料融液5の上面と接触する部分に、表面粗さが、算術平均粗さRaで0.5μm以下である鏡面部7が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
タングステン、または、タングステンとモリブデンとの合金からなり、底面と内周面と開口とを備え、前記内周面は、前記底面側から前記開口側に向けて拡径する、0.8°〜3.0°のテーパ角を有し、かつ、前記内周面のうち、少なくともサファイア原料融液の上端部と接触する部分に、表面粗さが、算術平均粗さRaで0.5μm以下である鏡面部が設けられている、サファイア単結晶育成用坩堝。
IPC (4件)：
C30B 29/20
, C30B 11/00
, F27B 14/10
, C22C 27/04
C30B29/20
, C30B11/00 C
, F27B14/10
, C22C27/04 101
, C22C27/04 102
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077CD02
, 4G077EG01
, 4G077EG02
, 4G077HA01
, 4G077HA12
, 4G077MA01
, 4G077MA02
, 4K046AA01
, 4K046AA07
, 4K046BA08
, 4K046CB02
, 4K046CB05
