特許
J-GLOBAL ID:201103022949973813

サファイア単結晶の製造方法およびサファイア単結晶の製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春 ,  岡村 隆志 ,  平井 善博 ,  傳田 正彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-163755
公開番号(公開出願番号):特開2011-042560
出願日: 2010年07月21日
公開日(公表日): 2011年03月03日
要約:
【課題】クラックのない高品質のサファイアの単結晶が得られるサファイア単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、ルツボ20に、ルツボ20の線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボ20およびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボ20に相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボ20を用いることを特徴とする。【選択図】図3
請求項(抜粋):
ルツボ内に種子結晶および原料を収納し、育成炉内の筒状ヒーター内にルツボを配置して筒状ヒーターにより加熱して原料および種子結晶の一部を融解すると共に、筒状ヒーターに上が高く下が低い温度勾配を形成することによって融液を順次結晶化させる一方向凝固法によるサファイア単結晶の製造方法において、 前記ルツボに、ルツボの線膨張係数と製造されるサファイア単結晶の成長軸に垂直な方向の線膨張係数との相違に起因する相互応力を、ルツボおよびサファイア単結晶に全く発生させない、もしくはサファイア単結晶に相互応力による結晶欠陥を発生させずルツボに相互応力による変形を起こさせないような線膨張係数を持つ材料からなるルツボを用いることを特徴とするサファイア単結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/20 ,  C30B 33/02 ,  C30B 11/00
FI (3件):
C30B29/20 ,  C30B33/02 ,  C30B11/00 C
Fターム (16件):
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB03 ,  4G077BB01 ,  4G077CD04 ,  4G077EA01 ,  4G077EG02 ,  4G077EH07 ,  4G077FE18 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077MA02 ,  4G077MB08 ,  4G077MB21 ,  4G077MB33
引用特許:
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (11件)
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