磁気メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人スズエ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-095765
公開番号（公開出願番号）：特開2014-179639
出願日： 2014年05月07日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

【課題】参照層の飽和磁化によらず、記憶層のRHカーブのシフトを補正可能にする。【解決手段】実施形態に係わる磁気メモリは、垂直かつ可変の磁化を持つ記憶層10、トンネルバリア層11、垂直かつ不変の磁化を持つ参照層12、及び、垂直かつ不変の磁化を持つシフト補正層13を備え、これらの層が第1の方向にこの順番で積層される第1及び第2の磁気抵抗素子MTJを備える。参照層12の磁化方向とシフト補正層13の磁化方向は、逆であり、第1及び第2の磁気抵抗素子MTJは、第1の方向に交差する第2の方向に並び、第1及び第2の磁気抵抗素子MTJの参照層12は、互いに結合された状態で第2の方向に延び、第1及び第2の磁気抵抗素子MTJのシフト補正層13は、互いに結合された状態で第2の方向に延びる。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

垂直かつ可変の磁化を持つ記憶層、トンネルバリア層、垂直かつ不変の磁化を持つ参照層、及び、垂直かつ不変の磁化を持つシフト補正層を備え、これらの層が第1の方向にこの順番で積層される第1及び第2の磁気抵抗素子を具備し、前記参照層の磁化方向と前記シフト補正層の磁化方向は、逆であり、前記第1及び第2の磁気抵抗素子は、前記第1の方向に交差する第2の方向に並び、前記第1及び第2の磁気抵抗素子の前記参照層は、互いに結合された状態で前記第2の方向に延び、前記第1及び第2の磁気抵抗素子の前記シフト補正層は、互いに結合された状態で前記第2の方向に延びる磁気メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 112

Fターム (46件)：

4M119AA10 , 4M119AA11 , 4M119AA19 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD24 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 4M119GG01 , 4M119GG07 , 4M119HH02 , 4M119HH05 , 4M119HH07 , 4M119JJ12 , 4M119JJ13 , 4M119JJ15 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB23 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BB74 , 5F092BB81 , 5F092BB82 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC16 , 5F092BC42 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092FA08

引用特許：

出願人引用 (3件)

磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-246717 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-070579 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-115327 出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学

審査官引用 (3件)

磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-246717 出願人：株式会社東芝
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-070579 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-115327 出願人：株式会社日立製作所, 国立大学法人東北大学

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