特許

J-GLOBAL ID：201403020793973280

固体撮像装置およびその製造方法

発明者： 下津佐 峰生
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-269778
公開番号（公開出願番号）：特開2014-116472
出願日： 2012年12月10日
公開日（公表日）： 2014年06月26日
要約：

【課題】電荷蓄積領域あるいは画素の高密度化に有利な製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像装置の製造方法は、第1面および第2面を有する半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第1分離領域を形成する工程と、前記半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第2導電型の複数の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記半導体層の中に前記第2面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第2分離領域を形成する工程と、を含み、前記第1分離領域および前記第2分離領域は、前記複数の電荷蓄積領域における電荷蓄積領域と電荷蓄積領域との間に配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1面および第2面を有する半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第1分離領域を形成する工程と、 前記半導体層の中に前記第1面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第2導電型の複数の電荷蓄積領域を形成する工程と、 前記半導体層の中に前記第2面を通してイオンを注入することによって前記半導体層の中に第1導電型の第2分離領域を形成する工程と、を含み、 前記第1分離領域および前記第2分離領域は、前記複数の電荷蓄積領域における電荷蓄積領域と電荷蓄積領域との間に配置される、 ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (18件)：

4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA22 ,  4M118CA34 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB06 ,  4M118GB07 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体撮像装置およびこれを用いた撮像システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-062331   出願人：キヤノン株式会社
• 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-032103   出願人：パナソニック株式会社