半導体受光素子、光受光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 黒木義樹 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-243836
公開番号（公開出願番号）：特開2014-093459
出願日： 2012年11月05日
公開日（公表日）： 2014年05月19日
要約：

【課題】低電圧駆動で動作可能であり入力光信号に対する応答の劣化を低減できる裏面入射型半導体受光素子を提供できる。【解決手段】基板13の入射面13aから入射した光Lは、光吸収領域15のp型半導体層21とカソード半導体領域15とによって構成されるpn接合23において電気信号Isに変換される。pn接合23が、光吸収領域17のp型半導体層21とカソード半導体領域15の境界にあるので、光吸収領域17の電界は、カソード半導体領域15からアノード半導体領域19への方向に単調に変化する。光吸収領域17のp型半導体層21とカソード半導体領域17との界面HJの位置に合わせてpn接合23を設けることにより、素子全体において高い電界の領域を電子・正孔対の高い濃度の領域の一部又は全部に重ね合わせることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体受光素子であって、当該半導体受光素子への入射光を受ける入射面と、該入射面に対して反対側の主面とを有する基板と、カソード半導体領域及びアノード半導体領域の一方であり、前記基板の前記主面上に設けられる上流側半導体層と、前記上流側半導体層上に設けられた光吸収領域と、前記カソード半導体領域及び前記アノード半導体領域の他方であり、前記光吸収領域に接合を成す下流側半導体層と、を備え、前記光吸収領域は、前記上流側半導体層の導電性と逆導電型の半導体層を含み、前記光吸収領域の前記半導体層は、前記上流側半導体層にpn接合を成す、半導体受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (5件)：

5F049MA02 , 5F049MB07 , 5F049NA03 , 5F049QA02 , 5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-246380
半導体受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-232358 出願人：日本鉱業株式会社
特開昭52-101990

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