特許
J-GLOBAL ID：200903027867780204

受光素子

発明者：
藤村 康

藤村 康 について

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矢野 浩

矢野 浩 について

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勝山 造

勝山 造 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117291
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314118
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 入射光の信号が有する周波数に対し、その対応可能な周波数領域が広い受光素子を提供する。【解決手段】本発明による受光素子1は、半導体基板2、P型半導体層3、I型半導体層4、N型半導体層5、が順に積層された受光素子1であって、半導体基板2は、P型半導体層3が形成された面とは反対側の面上に一体に形成され受光素子1への入射光が入射する光入射部20、を有することを特徴とする。この受光素子1では、P層側I型半導体層表面23近傍で発生した電子・正孔対のうち、移動速度の速い電子は移動距離の長いP型半導体層3までの距離を移動し、移動速度の遅い正孔は移動距離の短いN型半導体層5までの距離を移動するため、同時に発生した電子・正孔がそれぞれP型半導体層3、N型半導体層5に到達する時間のズレを小さくし、キャリアの走行時間を最小にすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたP型半導体層と、前記P型半導体層上に形成されたI型半導体層と、前記I型半導体層上に形成されたN型半導体層とを備えた受光素子であって、前記半導体基板は、前記P型半導体層が形成された面とは反対側の面上に一体に形成され前記受光素子への入射光が入射する光入射部、を有することを特徴とする受光素子。
Fターム (9件)：
5F049MA02 ,  5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049QA18 ,  5F049SS04 ,  5F049SS06
引用特許：
審査官引用 (11件)
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