特許
J-GLOBAL ID：201403022446389407
チャンク多結晶シリコン及び多結晶シリコンチャンクをクリーニングする方法
発明者：
ゲーアハルト・トラウンシユプルガー
ゲーアハルト・トラウンシユプルガー について
名寄せID(JGPN) 201401101015843798 ですべてを検索
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ラズロ・フアブリー
ラズロ・フアブリー について
名寄せID(JGPN) 201401101006265170 ですべてを検索
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ライナー・ペヒ
ライナー・ペヒ について
名寄せID(JGPN) 201401101017385690 ですべてを検索
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出願人/特許権者：
ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト
ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト について
名寄せID(JGON) 201551000093794032 ですべてを検索
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代理人 (1件)：
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：
特許公報
出願番号（国際出願番号）：
特願2013-012903
公開番号（公開出願番号）：
特開2013-170122
特許番号：
特許第5615946号
出願日：
2013年01月28日
公開日（公表日）：
2013年09月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面炭素濃度が0.5-20ppbwであるチャンク多結晶シリコン。
IPC (2件)：
C01B 33/02 ( 200 6.01)
, C01B 33/037 ( 200 6.01)
FI (2件)：
C01B 33/02 E
, C01B 33/037
引用特許：
出願人引用 (3件)
多結晶シリコンの洗浄方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願2000-033308
出願人：
三菱マテリアルポリシリコン株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
無転位シリコン単結晶の製造方法および無転位シリコン単結晶インゴット
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平11-080449
出願人：
新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
結晶シリコン中の炭素濃度の分析方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願2007-098912
出願人：
ダウコーニングコーポレーション
審査官引用 (2件)
多結晶シリコンの洗浄方法
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願2000-033308
出願人：
三菱マテリアルポリシリコン株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
無転位シリコン単結晶の製造方法および無転位シリコン単結晶インゴット
公報種別：
公開公報
出願番号：
特願平11-080449
出願人：
新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
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