特許

J-GLOBAL ID：201403022818720156

基板を処理するための装置及び方法

発明者： ジョン・コーブラー ,  リチャード・ノヴァック
出願人/特許権者： アクリオン テクノロジーズ インク
代理人 (2件)： 渡辺 尚 ,  小野 由己男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-231278
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112829
出願日： 2013年11月07日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：

【課題】基板上のデバイスに損傷を減らすソニックエネルギーを用いて基板を処理するシステム及び方法を提供する。【解決手段】音響エネルギーで物品を処理するための装置1000であって、内面72と外面71とを有している伝達構造70と、伝達構造70の内面72に接合されている第1トランスデューサーAと、伝達構造70の内面72に接合されている第2トランスデューサーBと、を含むトランスデューサーアセンブリー200を含んでおり、第2トランスデューサーBは、非活性音響エネルギー領域Cが第1トランスデューサーAと第2トランスデューサーBとの間の伝達構造70上に存在するように第1トランスデューサーAから離れている。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

音響エネルギーで物品を処理するための装置であって、 内面と外面とを有している伝達構造と、 前記伝達構造の前記内面に接合されている第1トランスデューサーと、 前記伝達構造の前記内面に接合されている第2トランスデューサーと、 を含むトランスデューサーアセンブリーを含んでおり、 前記第2トランスデューサーは、非活性音響エネルギー領域が前記第1トランスデューサーと前記第2トランスデューサーとの間の前記伝達構造上に存在するように前記第1トランスデューサーから離れている、 装置。

IPC (3件)：

H04R 17/00 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/12

FI (6件)：

H04R17/00 332B ,  H01L21/304 643D ,  H01L21/304 643A ,  B08B3/12 B ,  B08B3/12 C ,  H01L21/304 622Q

Fターム (34件)：

3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AB02 ,  3B201AB34 ,  3B201AB42 ,  3B201BB22 ,  3B201BB84 ,  3B201BB85 ,  3B201BB92 ,  3B201CB01 ,  3B201CD43 ,  5D019BB19 ,  5D019FF02 ,  5F057AA04 ,  5F057CA25 ,  5F057DA03 ,  5F057DA26 ,  5F057DA38 ,  5F057FA37 ,  5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB13 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC13 ,  5F157BB22 ,  5F157BB74 ,  5F157CF08 ,  5F157CF10 ,  5F157CF62 ,  5F157CF72 ,  5F157DA21 ,  5F157DB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 超音波振動子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251493   出願人：株式会社大真空
• 超音波探触子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-029296   出願人：松下電器産業株式会社