特許
J-GLOBAL ID：201403023105815650
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
別役 重尚
, 村松 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-220923
公開番号（公開出願番号）：特開2014-039060
特許番号：特許第5638682号
出願日： 2013年10月24日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記露出部はシリコン系の材料からなり、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記処理空間内に発生するプラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされる値に設定し、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極は電気的に絶縁され、前記プラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされることがない値に設定することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H05H 1/46 ( 200 6.01)
H01L 21/302 105 A
, H01L 21/302 101 B
, H05H 1/46 M
