特許
J-GLOBAL ID:201403025752033941

垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置及び垂直磁気記録媒体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 木村 満 ,  竹内 幸子 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  石堂 毅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-170685
公開番号(公開出願番号):特開2014-059943
出願日: 2013年08月20日
公開日(公表日): 2014年04月03日
要約:
【課題】短時間で、安価な材料を使用して生成することができる垂直磁気記録媒体等を提供する。【解決手段】基板11上に軟磁性層12を積層し、その上にコバルトフェライトの格子定数の1/2よりわずかに大きい格子定数を有する立方晶である酸化マグネシウムの単結晶膜又は高配向膜を成膜しシード層13を形成する。酸化マグネシウムの001結晶面に対して、酸素を反応性ガスとし鉄コバルト合金をターゲット金属とした高周波マグネトロンスパッタリングを行って、コバルトフェライトの単結晶膜又は高配向膜を成長させ、垂直磁気記録層14を形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
コバルトフェライトの格子定数の1/n(nは自然数)より大きく、且つ、前記コバルトフェライトの001結晶面に対する格子不整合が所定の範囲以内の格子定数を有する立方晶からなるシード層の001結晶面に対して、酸素を反応性ガスとし鉄コバルト合金をターゲット金属とした反応性スパッタリングを行って、前記コバルトフェライトの単結晶膜又は高配向膜を成長させることにより形成した垂直磁気記録層を有する、 ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (7件):
G11B 5/65 ,  G11B 5/738 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/851 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/18
FI (7件):
G11B5/65 ,  G11B5/738 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F41/18
Fターム (24件):
5D006BB05 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D006FA00 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA05 ,  5D112BB04 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BD03 ,  5D112FA04 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01

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