特許
J-GLOBAL ID:201403026629190516
ヘテロ原子化合物のカチオン及びジアルキルスルフェートの硫酸塩の製造方法及びその使用
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
村越 智史
, 尾畑 雄一
, 瀬沼 宗一郎
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2014-516076
公開番号(公開出願番号):特表2014-523422
出願日: 2012年06月18日
公開日(公表日): 2014年09月11日
要約:
一次反応としてジアルキルスルフェートを使用するヘテロ原子化合物の硫酸塩の製造方法を開示する。ヘテロ原子化合物の硫酸塩からイオン液体を製造する方法及びこのイオン液体を有する電気化学セルを開示する。
請求項(抜粋):
ヘテロ原子化合物の硫酸塩を製造する方法であって、
(1) ヘテロ原子化合物を過剰のジアルキルスルフェートと反応させてヘテロ原子化合物のアルキルスルフェート塩を生成し、
(2) アルキルスルフェート塩を加水分解してヘテロ原子化合物のビスルフェート塩を生成し、
(3) ビスルフェート塩を中和してヘテロ原子化合物の硫酸塩を生成する方法。
IPC (8件):
C07C 209/68
, C07C 211/63
, C07F 9/54
, C07C 305/06
, C07C 303/24
, C07C 209/22
, C07D 295/02
, C07D 233/58
FI (8件):
C07C209/68
, C07C211/63
, C07F9/54
, C07C305/06
, C07C303/24
, C07C209/22
, C07D295/02 Z
, C07D233/58
Fターム (7件):
4H006AA02
, 4H006AC52
, 4H006AC60
, 4H006BE12
, 4H050AA02
, 4H050AC10
, 4H050WA26
引用特許:
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