半導体集積回路装置及びその製造方法、並びに該半導体集積回路装置に使用する低抵抗率銅配線の探索方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：江口州志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101708
公開番号（公開出願番号）：特開2014-222715
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：

【課題】LSIの高集積化、高密度化及び高速化に対して、配線幅の減少に伴う抵抗率の増加を抑えて、配線層の一層の低抵抗率化を図ることができる半導体集積回路装置とその製造方法、並びに効率的な低抵抗率銅配線の探索方法を提供する。【解決する手段】本発明は、回路素子が形成された半導体基体と、その主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも絶縁層を利用して形成されたトレンチと、トレンチ内に形成された銅配線とを備え、銅配線の線幅が100nm以下で、銅配線の結晶粒界に不純物として存在する金属元素、塩素及び酸素からなる化合物の濃度が塩素濃度で換算したときに2.0原子%以下である。ここで、不純物として同定される化合物の金属元素は銅又は鉄であり、不純物がFe、Cl及びOからなる化合物の場合は、その濃度がFe濃度で換算したときに1.1原子%以下であることを特徴とする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

回路素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層を利用して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成された銅配線とを備え、前記銅配線の線幅が100nm以下で、前記銅配線の結晶粒界に不純物として存在する金属元素、塩素(Cl)及び酸素(O)からなる化合物の濃度が、該化合物に含まれる塩素濃度で換算したときに2.0原子%以下であることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/288 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 23/532

FI (4件)：

H01L21/288 E , H01L21/88 B , H01L21/88 M , H01L21/288 M

Fターム (78件)：

4M104BB04 , 4M104BB37 , 4M104BB38 , 4M104BB39 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD28 , 4M104DD37 , 4M104DD52 , 4M104DD75 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG18 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033LL01 , 5F033LL03 , 5F033LL06 , 5F033LL08 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033WW01 , 5F033WW04 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX10 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-106945 出願人：国立大学法人茨城大学, 独立行政法人物質・材料研究機構, 株式会社ボンゾウ
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-336503 出願人：富士通株式会社
銅めっき方法及び銅めっき液
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-214780 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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