特許
J-GLOBAL ID：201403027041285290
半導体評価装置および半導体評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-056497
公開番号（公開出願番号）：特開2014-181996
出願日： 2013年03月19日
公開日（公表日）： 2014年09月29日
要約：
【課題】より少ない工程で、確実に、半導体チップの評価に用いるステージの表面の異物を除去し、損傷を発生させることなく半導体チップを高精度に評価することが可能な半導体評価装置および半導体評価方法を得る。【解決手段】半導体チップ14を載置するための多面体のステージ2と、半導体チップ14の特性を測定するためのテスタ19とを備えた半導体評価装置であり、ステージ2を構成する複数の面のうち任意の面に半導体チップ14を載置可能なようにステージ2を回転可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
特性を測定すべき半導体チップを載置するための多面体のステージと、
前記ステージに載置された前記半導体チップの一方の主表面と前記一方の主表面に対向する他方の主表面との間に電流を流すことにより前記半導体チップの特性を測定するためのテスタとを備え、
前記ステージは、前記ステージに含まれる複数の面のうち任意の面に前記半導体チップを載置可能なように回転可能である、半導体評価装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2G003AA02
, 2G003AE09
, 2G003AF05
, 2G003AF06
, 2G003AG03
, 2G003AG11
, 2G003AH05
, 2G003AH07
