特許
J-GLOBAL ID:201203096210048063
半導体検査装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-025829
公開番号(公開出願番号):特開2012-163515
出願日: 2011年02月09日
公開日(公表日): 2012年08月30日
要約:
【課題】 ステージ交換が不要な低コストの半導体検査装置を提供する。【解決手段】 本願が提供する半導体検査装置は、ステージと、ステージ上に載置されており、半導体チップが載置される領域を有し、その領域内に貫通孔を有する導電性のプレートと、プレートの下面側の空間を減圧して、プレートをステージ側に吸着する減圧吸着機構と、半導体チップの表面電極に接触する第1プローブと、プレートまたはステージの上面に接触する第2プローブと、プレートの貫通孔を通じて半導体チップの裏面電極に接触するセンスピンと、を備えている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
縦型半導体が形成された半導体チップの電気的試験を行う半導体検査装置であって、
ステージと、
ステージ上に載置されており、半導体チップが載置される領域を有し、その領域内に貫通孔を有する導電性のプレートと、
プレートの下面側の空間を減圧して、プレートをステージ側に吸着する減圧吸着機構と、
半導体チップの表面電極に接触する第1プローブと、
プレートまたはステージの上面に接触する第2プローブと、
プレートの貫通孔を通じて半導体チップの裏面電極に接触するセンスピンと、
を備えている半導体検査装置。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (5件):
2G132AE03
, 2G132AE04
, 2G132AF02
, 2G132AL03
, 2G132AL09
引用特許:
審査官引用 (9件)
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半導体測定装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-352009
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-306621
出願人:株式会社ルネサステクノロジ
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ウエハプローバ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-254182
出願人:イビデン株式会社
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