特許
J-GLOBAL ID：201403027957786716
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
稲葉 忠彦
, 村上 加奈子
, 松井 重明
, 倉谷 泰孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-078779
公開番号（公開出願番号）：特開2014-203959
出願日： 2013年04月04日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
【課題】半導体素子の面積を増加させることなく、終端領域におけるコーナー部での耐圧保持機能が高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板5に設けられ、表面電極14が形成された能動領域2と、半導体基板5の表層部に形成された耐圧保持領域8と、耐圧保持領域8の表面上に形成された絶縁膜10と、直線部と直線部を連結するコーナー部とを有する多重環状のプレートからなる第1フィールドプレート12と、を備え、最外周のプレート12dの第1外周曲線のコーナー部における第1曲率半径は、第1曲率半径の中心位置から直線部における第1外周曲線の延長線への垂線の距離と等しく、最外周のプレートより内側に配置されたプレートの第2外周曲線のコーナー部における第2曲率半径の中心位置は、第1曲率半径の中心位置と等しく、第2曲率半径は中心位置から直線部における第2外周曲線の延長線への垂線の距離より大きい。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に設けられ、表面に表面電極が形成された能動領域と、
前記半導体基板の表層部に前記能動領域を取り囲んで形成された第2導電型の耐圧保持領域と、
前記耐圧保持領域の表面上に形成された絶縁膜と、
直線部と前記直線部を連結するコーナー部とを有し、前記表面電極と電気的に接続された最内周のプレートと、前記半導体基板と電気的に接続された最外周のプレートと、を含む多重環状のプレートからなり、前記絶縁膜上に形成された第1フィールドプレートと、
を備え、
前記最外周のプレートの第1外周曲線の前記コーナー部における第1曲率半径は、前記第1曲率半径の中心位置から前記直線部における前記第1外周曲線の延長線への垂線の距離と等しく、
前記最外周のプレートより内側に配置された前記プレートの第2外周曲線の前記コーナー部における第2曲率半径の中心位置は、前記第1曲率半径の中心位置と等しく、
前記第2曲率半径は、前記中心位置から前記直線部における前記第2外周曲線の延長線への垂線の距離より大きいこと、
を特徴とする半導体装置。
IPC (10件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 29/739
, H01L 29/12
, H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 29/16
, H01L 29/20
, H01L 29/41
H01L29/78 652P
, H01L29/78 658L
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652N
, H01L29/06 301F
, H01L29/06 301R
, H01L29/91 D
, H01L29/06 301G
, H01L29/06 301V
, H01L29/16
, H01L29/20
, H01L29/91 F
, H01L29/44 Y
4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104DD28
, 4M104FF10
, 4M104FF11
, 4M104FF21
, 4M104FF31
, 4M104GG02
, 4M104GG09
, 4M104GG15
, 4M104HH14
, 4M104HH18
