特許
J-GLOBAL ID：201003089337277508

半導体装置およびその製造方法

発明者：
高橋 徹雄

高橋 徹雄 について

, 
大月 高実

大月 高実 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-092257
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245281
出願日： 2009年04月06日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：
【課題】所定の耐圧を保持しつつ占有面積を縮小可能である半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置において、N型不純物領域1は基板50内に形成されている。P型リサーフ層18はN型不純物領域1内の基板50上面に形成されている。P型ウェル2はP型リサーフ層18よりも高い不純物濃度を有しており、かつN型不純物領域1内の基板50上面においてP型リサーフ層18と接触して形成されている。プレート8がN型不純物領域1と電気的に接続されており、かつプレート7がP型不純物領域2と電気的に接続されている。下部フィールドプレート20は基板50との間で下部容量結合を形成可能である。上部フィールドプレート17は下部フィールドプレート20よりも基板50から離れた位置に形成されており、かつ下部フィールドプレート20との間で下部容量結合の容量よりも大きい上部容量結合を形成可能である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
主表面を有する基板と、 前記基板内に形成された第1導電型の第1不純物領域と、 前記第1不純物領域内の前記主表面に形成された第2導電型のリサーフ層と、 前記リサーフ層よりも高い不純物濃度を有し、かつ前記第1不純物領域内の前記主表面において前記リサーフ層と接触して形成された第2導電型の第2不純物領域と、 複数のフィールドプレートとを備え、 前記複数のフィールドプレートのうち少なくとも1つが前記第1不純物領域と電気的に接続されており、かつ前記複数のフィールドプレートのうち少なくとも他の1つが前記第2不純物領域と電気的に接続されており、 前記複数のフィールドプレートは、下部フィールドプレートと上部フィールドプレートとを含み、前記下部フィールドプレートは前記基板との間で下部容量結合を形成可能であり、前記上部フィールドプレートは前記下部フィールドプレートよりも前記基板から離れた位置に形成されており、かつ前記下部フィールドプレートとの間で前記下部容量結合の容量よりも大きい容量を有する上部容量結合を形成可能である、半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 27/04
FI (8件)：
H01L29/78 655F ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 B ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/78 657A
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM