特許
J-GLOBAL ID:201403028102005365

銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 楠本 高義 ,  中越 貴宣 ,  三雲 悟志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-057569
公開番号(公開出願番号):特開2014-183244
出願日: 2013年03月21日
公開日(公表日): 2014年09月29日
要約:
【課題】本発明の目的は、従来の銅酸化物薄膜太陽電池に比べて光変換効率の高い銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法を提供することにある。【解決手段】銅酸化物薄膜太陽電池10は、基板12の上に第1電極14、n型半導体層16、p型半導体層18および第2電極20が順番に積層された構造である。p型半導体層18は電析によってn型半導体層16の上に形成する。電析のために水溶性銅塩を含むアルカリ性溶液を使用する。アルカリ性水溶液は、LiOHによってpHを調整する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板を準備する工程と、 前記基板の一面上に第1電極を形成する工程と、 前記第1電極の上にn型半導体層を形成する工程と、 前記n型半導体層の上にp型半導体層を形成する工程と、 前記p型半導体層の上に第2電極を形成する工程と、 を含む銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法であって、 前記p型半導体層を形成する工程が、 水溶性銅塩を含むアルカリ性水溶液に対し、水酸化リチウムを用いてpHを調整する工程と、 前記pHを調整されたアルカリ性水溶液の中で、前記n型半導体層の上に電析によってp型半導体層を形成する工程と、 を含む銅酸化物薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (1件):
H01L 31/06
FI (1件):
H01L31/04 E
Fターム (6件):
5F151AA07 ,  5F151CB29 ,  5F151CB30 ,  5F151DA03 ,  5F151FA02 ,  5F151GA03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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