特許
J-GLOBAL ID：200903016417861776
光電変換装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-057578
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258278
出願日： 2002年03月04日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 簡易に、低コストで、酸化物光電変換素子が十分な開放電圧や電流値が得られるようにする。【解決手段】 n型層とp型層とを積層形成した光電変換装置であって、前記n型層をZnO針状結晶13からなる層とし、且つ前記p型層をCu2O層14としている。ZnO針状結晶13はZnOやSnO2からなるn型酸化物半導体31の連続膜に接続している。また、前記ZnO針状結晶13の平均径を300nm以下とし、且つアスペクト比を20以上としている。
請求項（抜粋）：
n型層とp型層とを積層形成した光電変換装置であって、前記n型層がZnO針状結晶からなる層であり、且つ前記p型層がCu2Oからなる層であることを特徴とする光電変換装置。
Fターム (6件)：
5F051AA20
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA02
, 5F051GA03
, 5F051HA01
