半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-236996
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078724
出願日： 2013年11月15日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成される逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電層と、第1の絶縁層と、酸化物半導体層と、第2の導電層と、第3の導電層と、第4の導電層と、第2の絶縁層と、第5の導電層と、第6の導電層とを有し、前記第1の導電層は、ゲート電極として機能する領域を有し、前記第1の絶縁層は、ゲート絶縁膜として機能する領域を有し、前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、前記第2の導電層は、ソース電極又はドレイン電極の一方として機能する領域を有し、前記第3の導電層は、ソース電極又はドレイン電極の他方として機能する領域を有し、前記第2の絶縁層は、前記第2の導電層と、前記第3の導電層との間で、前記酸化物半導体層と接する領域を有し、前記第4の導電層は、前記第2の絶縁層が有する開口部を介して、前記第6の導電層と電気的に接続され、前記第5の導電層は、前記第3の導電層と電気的に接続され、前記第2の導電層と、前記第3の導電層と、前記第4の導電層とは、第1の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、前記第5の導電層と、前記第6の導電層とは、第2の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 21/28 , G09F 9/00 , H01L 51/50 , G02F 1/136 , G02F 1/134 , G02F 1/167 , G02F 1/17

FI (11件)：

H01L29/78 612C , G09F9/30 338 , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , G09F9/00 338 , H05B33/14 A , G02F1/1368 , G02F1/1345 , G02F1/167 , G02F1/17

Fターム (164件)：

2H092GA29 , 2H092GA36 , 2H092GA43 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB23 , 2H092JB68 , 2H092JB69 , 2H092KA08 , 2H092MA05 , 2H092NA29 , 2H092QA07 , 2H192AA24 , 2H192BC31 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192CB54 , 2H192CC12 , 2H192CC72 , 2H192DA02 , 2H192DA12 , 2H192FA14 , 2H192FA22 , 2H192FA46 , 2H192FA65 , 2H192FB03 , 2H192FB06 , 2H192FB07 , 2H192FB27 , 2H192FB46 , 2H192HA01 , 2H192HA13 , 2H192HA44 , 2H192HA90 , 2H192JA06 , 2K101AA04 , 2K101AA08 , 2K101BA02 , 2K101BA12 , 2K101BB43 , 2K101BD61 , 2K101EC08 , 2K101EC51 , 2K101EE02 , 2K101EG27 , 2K101EJ31 , 2K101EK35 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC31 , 3K107CC45 , 3K107EE03 , 3K107HH05 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB31 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG08 , 5C094AA03 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094FB14 , 5C094HA05 , 5C094HA08 , 5F110AA02 , 5F110AA05 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE23 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK17 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL01 , 5F110HL07 , 5F110HL09 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435BB12 , 5G435BB18 , 5G435HH12 , 5G435HH14 , 5G435KK05 , 5G435LL04 , 5G435LL07 , 5G435LL14

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-355820 出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド

審査官引用 (1件)

薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-355820 出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド

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