薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-355820
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191015
出願日： 2005年12月09日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供することにその目的がある。【解決手段】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、マスクの数を低減し、製造費用を低減することができ、及び、データパッドをゲート金属パターンとデータ金属パターンのジャンピング構造で形成することによって、データパッドのオープンによる電食を防止することができる、薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法を提供する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

ゲートラインと接続されたゲート電極と、前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインと接続されたソース電極および前記ソース電極とチャンネルを介して対向するドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極間の前記チャンネルを形成する半導体層と、前記チャンネルを形成する半導体層を保護するために、前記チャンネル上に形成されるチャンネル保護膜と、前記画素領域に位置し、前記ドレイン電極と接触形成された画素電極と、前記画素電極から前記ゲートライン上に延長され、前記ゲート絶縁膜上に半導体層パターンと金属層パターンが積層されストレージを形成するストレージキャパシタと、前記ゲートラインから延長されるゲートパッドと、前記データラインと接続されるデータパッドと、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , G02F 1/136

FI (5件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 616U , H01L29/78 623A , H01L21/88 Z , G02F1/1368

Fターム (102件)：

2H092GA29 , 2H092GA34 , 2H092GA40 , 2H092GA64 , 2H092JA26 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JA46 , 2H092JA47 , 2H092JA48 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092JB57 , 2H092JB69 , 2H092JB71 , 2H092KA18 , 2H092KB24 , 2H092MA13 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 5F033GG04 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH20 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK10 , 5F033KK11 , 5F033KK20 , 5F033MM30 , 5F033NN21 , 5F033NN39 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ26 , 5F033QQ37 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033SS25 , 5F033UU04 , 5F033VV06 , 5F033VV07 , 5F033VV10 , 5F033VV12 , 5F033VV15 , 5F033XX18 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F033XX36 , 5F033XX37 , 5F058BB04 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ01 , 5F110AA16 , 5F110AA22 , 5F110AA26 , 5F110AA27 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110NN12 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN73

引用特許：

審査官引用 (8件)

液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-216427 出願人：エルジー電子株式会社
薄膜トランジスタ構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074472 出願人：日本電気株式会社
薄膜トランジスタ、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子、ならびに表示装置用基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-378516 出願人：松下電器産業株式会社

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