特許
J-GLOBAL ID：201403029054612013
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-220488
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075384
出願日： 2012年10月02日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：
【課題】アノードの終端部に電流が集中するのが抑制される半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1では、半導体基板2の一方の主表面の側に、ダイオードのアノード3が形成されている。そのアノード3の外周と距離を隔てられて、アノード3を取り囲むように、ガードリング4が形成されている。アノード3は、p+型拡散領域3a、p-型領域11aおよびアノード電極8を備えている。p-型領域11aは、アノード3の外周側に位置する終端部に形成されている。p-型領域11aは、相対的に電気抵抗の高い領域として、p+型拡散領域3aによって挟まれるように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
互いに対向する第1主表面および第2主表面を有する第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第1主表面側に形成されたアノードと、
前記アノードの外周から距離を隔てられ、前記アノードを取り囲むように、前記半導体基板の前記第1主表面側に形成されたガードリングと、
前記半導体基板の前記第2主表面側に形成された第1導電型のカソードと
を有し、
前記アノードは、前記外周側に位置する終端部において、相対的に不純物濃度の高い領域と相対的に不純物濃度の低い領域とを備えた、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/868
, H01L 29/861
, H01L 29/06
H01L29/91 D
, H01L29/06 301G
