特許
J-GLOBAL ID：201103013241467994

炭化ケイ素デバイス用の2重ガード・リング端部終端、及びそれを組み込む炭化ケイ素デバイスを製造する方法

発明者：
チャン、チンチュン

チャン、チンチュン について

, 
ジョナス、シャーロット

ジョナス、シャーロット について

, 
アガルワル、アナント、ケイ.

アガルワル、アナント、ケイ. について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (8件)： 特許業務法人浅村特許事務所 ,  浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  林 鉐三 ,  清水 邦明 ,  大日方 和幸 ,  畑中 孝之 ,  岩見 晶啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-548670
公開番号（公開出願番号）：特表2011-514674
出願日： 2009年02月05日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
半導体接合を少なくとも部分的に取り囲む半導体層内の複数の離間同心フローティング・ガード・リングを含む半導体デバイス用の端部終端構造が提供される。離間同心フローティング・ガード・リングは、濃くドープされた部分及び薄くドープされた部分を有する。デバイスを製造する関連方法も本明細書で提供される。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの端部終端構造であって、 半導体接合を少なくとも部分的に取り囲む半導体層内の複数の離間同心フローティング・ガード・リングであって、濃くドープされた部分及び薄くドープされた部分を有する離間同心フローティング・ガード・リングを有する端部終端構造。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (4件)：
H01L29/91 D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/48 E ,  H01L29/91 F
Fターム (7件)：
4M104AA03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG07 ,  4M104HH18
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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