パワー半導体モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上学 , 戸田裕二 , 岩崎重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-198038
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053516
出願日： 2012年09月10日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：

【課題】パワー半導体素子と平滑コンデンサの間の配線インダクタンスを含むLC共振も抑えることに加え、サージ電圧を低減する。【解決手段】本発明に係るパワー半導体モジュールは、第1パワー半導体素子と、第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子と接続される第1導体部と、前記第2パワー半導体素子と接続される第2導体部と、前記第1導体部と接続される第1端子と、前記第2導体部と接続される第2端子と、半導体抵抗により構成される抵抗素子及びコンデンサ素子を有するスナバ回路体と、を備え、前記第1端子は、前記第2端子と対向して配置され、前記スナバ回路体は、前記第1端子と前記第2端子とが対向した領域に配置され、前記スナバ回路体の一方の端子は、前記第1端子の対向面に接続され、前記スナバ回路体の他方の端子は、前記第2端子の対向面に接続される。【選択図】図5(a)

請求項（抜粋）：

インバータ回路の上アームを構成する第1パワー半導体素子と、前記インバータ回路の下アームを構成する第2パワー半導体素子と、前記第1パワー半導体素子と接続される第1導体部と、前記第2パワー半導体素子と接続される第2導体部と、前記第1導体部と接続される第1端子と、前記第2導体部と接続される第2端子と、半導体抵抗により構成される抵抗素子及びコンデンサ素子を有するスナバ回路体と、を備え、前記第1端子は、前記第2端子と対向して配置され、前記スナバ回路体は、前記第1端子と前記第2端子とが対向した領域に配置され、前記スナバ回路体の一方の端子は、前記第1端子の対向面に接続され、前記スナバ回路体の他方の端子は、前記第2端子の対向面に接続されるパワー半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/18 , H01L 25/07 , H02M 7/48

FI (2件)：

H01L25/04 C , H02M7/48 Z

Fターム (9件)：

5H007AA06 , 5H007AA17 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB12 , 5H007HA02 , 5H007HA03 , 5H007HA04 , 5H007HA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-027509 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-038091 出願人：日産自動車株式会社
パワー半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-069326 出願人：トヨタ自動車株式会社

前のページに戻る