界面安定化膜を備えた太陽電池

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山田卓二 , 田中光雄 , 岡部博史 , 稲葉和久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-221492
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075440
出願日： 2012年10月03日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】トラップ準位を低減し、かつ、固定電荷の効果をより一層大きくできる界面安定化膜を備えた太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池は、n型シリコン半導体層と、n型シリコン半導体層と界面を有するp型シリコン半導体層と、n型シリコン半導体層の表面、又は、p型シリコン半導体層の表面の少なくともいずれかに設けられた界面安定化膜であって、SiOx(x≧2)からなる第1層と、Al2O3からなり、第1層との界面に固定電荷が局在する第2層と、AlOx(x>1.5)からなる第3層と、が順に積層された、界面安定化膜と、n型シリコン半導体層と接続された第1電極と、p型シリコン半導体層と接続された第2電極と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型シリコン半導体層と、前記n型シリコン半導体層と界面を有するp型シリコン半導体層と、前記n型シリコン半導体層の表面、又は、前記p型シリコン半導体層の表面の少なくともいずれかに設けられた界面安定化膜であって、 SiOx(x≧2)からなる第1層と、 Al2O3からなり、前記第1層との界面に固定電荷が局在する第2層と、 AlOx(x>1.5)からなる第3層と、が順に積層された、界面安定化膜と、前記n型シリコン半導体層と接続された第1電極と、前記p型シリコン半導体層と接続された第2電極と、を備えた太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 F

Fターム (7件)：

5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB24 , 5F151DA03 , 5F151GA04 , 5F151HA03 , 5F151HA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-126706 出願人：エーエスエムインターナショナルエヌ.ヴェー.
太陽電池および太陽電池を製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-237353 出願人：シノ-アメリカンシリコンプロダクツインコーポレイテッド, チェン,ミイン-ジャン
太陽電池素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-077383 出願人：京セラ株式会社

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