特許
J-GLOBAL ID:201403032048466103
開始挙動が改善された物理的複製不可能関数
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-532128
公開番号(公開出願番号):特表2013-545340
出願日: 2011年09月28日
公開日(公表日): 2013年12月19日
要約:
メモリ素子から内容を読み出し、少なくとも部分的に前記内容から暗号鍵などのデジタル識別子を導出するためのPUF制御手段に接続可能な半導体メモリ素子110を含む、電気物理的複製不可能関数(PUF)100が、提供される。メモリ素子への電力供給時に、これは少なくとも2つの異なる安定状態のうちの1つに静定される。メモリ素子がなる特定の安定状態は、少なくとも部分的に、メモリ素子の製造中に導入されるメモリ素子のランダムな物理的特性に依存する。メモリ素子の静定は、メモリ素子の制御入力112に、さらに依存する。電気物理的複製不可能関数は、メモリ素子の電源投入を含んで少なくともメモリ素子の静定まで継続する期間の間、メモリ素子がなる特定の安定状態が依存する制御信号を受信しないように制御入力を遮蔽するための、遮蔽手段142、144を含む。このようにして、その物理的特性に対するメモリ素子の依存性が改善され、場合により再生不可能な制御信号への依存性が低減される。
請求項(抜粋):
メモリ素子の内容を読み出し、少なくとも部分的に前記内容からデジタル識別子を導出するためのPUF制御手段(120)に接続可能な半導体メモリ素子(110)を含む、電気物理的複製不可能関数(PUF)(100、200)であって、メモリ素子は、少なくとも2つの異なる安定状態になるように構成されているタイプのものであり、安定状態はメモリ素子の内容を表し、
メモリ素子は、
メモリ素子に電力供給し、メモリ素子を通電状態にするための電源入力と、
1つ以上の制御信号を受信するための制御入力(112)であって、制御信号はメモリ素子を少なくとも2つの異なる安定状態のうちの選択された1つに静定するように構成する、制御入力と、を含み、
メモリ素子は電源投入時に少なくとも2つの異なる安定状態のうちの1つになるよう構成されており、メモリ素子がなる特定の安定状態は、メモリ素子の少なくとも部分的にランダムな物理的特性に、少なくとも部分的に依存しており、
電源投入時にメモリ素子がなる特定の安定状態はまた、制御信号を受信する制御入力にも依存しており、
電気物理的複製不可能関数は、メモリ素子の電源投入を含んで少なくともメモリ素子の静定まで継続する期間の間、メモリ素子がなる特定の安定状態が依存する制御信号を受信しないように制御入力を遮蔽するための、遮蔽手段(142、144)をさらに含む、電気物理的複製不可能関数。
IPC (3件):
H03K 3/037
, H03K 3/356
, H03K 19/00
FI (3件):
H03K3/037 Z
, H03K3/356 B
, H03K19/00 A
Fターム (9件):
5J034AB00
, 5J034CB01
, 5J043AA00
, 5J043HH01
, 5J043JJ10
, 5J056AA00
, 5J056BB40
, 5J056CC14
, 5J056GG14
引用特許:
出願人引用 (1件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-017024
出願人:株式会社東芝
引用文献:
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