特許
J-GLOBAL ID：201403032204665898
パターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-199818
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056053
出願日： 2012年09月11日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】マスクパターンのパターンマッチング処理を効率化するパターンマッチング方法、マスクパターンの生成方法、及び、ライブラリの構築方法を提供する。【解決手段】マスクパターンの同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第1の階層L1のアウトライン情報A1、非共通部分を第2の階層L2のアウトライン情報B1〜B3とするライブラリを参照し、マッチング対象アウトライン情報PL1〜PL3を複数の第1の階層のアウトライン情報とマッチングする第1のマッチング工程と、第1のマッチング工程で一致した場合に一致した第1の階層のアウトライン情報に関連する複数の第2の階層のアウトライン情報とマッチングし、マッチング対象パターンが一致した第1、2の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第2のマッチング工程と、を有する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体製造工程における、設計パターンの光近接効果補正後のマスクパターンのパターンマッチング方法であって、
前記マスクパターンのパターンであって同一グループとして分類された複数の登録マッチングパターンのアウトラインの共通部分を第1の階層のアウトライン情報、非共通部分を第2の階層のアウトライン情報として有するライブラリを参照し、マッチング対象パターンのマッチング対象アウトライン情報を、複数の前記第1の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングする第1のマッチング工程と、
前記第1のマッチング工程で一致した場合に、前記ライブラリを参照して前記一致した第1の階層のアウトライン情報に関連する複数の前記第2の階層のアウトライン情報と一致するか否かマッチングし、前記マッチング対象パターンが、一致した前記第1、2の階層のアウトライン情報に対応する登録マッチングパターンと一致すると判定する第2のマッチング工程と、を有するパターンマッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/36
, H01L21/30 502P
