特許
J-GLOBAL ID：201403032979421960
電極ゲート線の断線によるダークエリアの発生を防止した結晶シリコン太陽電池
出願人/特許権者：
テルサンソーラー科学技術有限公司
テルサンソーラー科学技術有限公司 について
代理人 (1件)： あいわ特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-229566
公開番号（公開出願番号）：特開2014-120761
出願日： 2013年11月05日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：
【課題】ゲートブレークによる電気性能の損失を改善でき、また、微細ゲート線をもっと細く設計することができる、構造が簡単で、実現が容易な結晶シリコン太陽電池を提供する。【解決手段】シリコンチップ本体1を含み、シリコンチップ本体1の表面上に複数の主ゲート線2が縦方向に形成され、横方向に複数の微細ゲート線3が主ゲート線2と電気的に接続するように形成され、さらに、複数の第二ゲート線4が微細ゲート線3の間を電気的に接続するように設けられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンチップ本体を含み、前記シリコンチップ本体において縦方向で主ゲート線が分布して、横方向で複数の微細ゲート線が主ゲート線に連結されて分布していると共に、第二ゲート線が微細ゲート線の間に微細ゲート線を連結して設けられることを特徴とする電極ゲート線の断線によるダークエリアの発生を防止した結晶シリコン太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル
公報種別：公開公報 出願番号：特願2006-322116 出願人：三洋電機株式会社 -
太陽電池
公報種別：公開公報 出願番号：特願2010-273826 出願人：株式会社アルバック -
太陽電池セル及び太陽電池モジュール
公報種別：公開公報 出願番号：特願2006-347809 出願人：三洋電機株式会社
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