特許

J-GLOBAL ID：201403035727389117

SiC成形体の製造方法及びSiC成形体

発明者： 肖 陽 ,  花田 喜嗣 ,  永吉 英昭
出願人/特許権者： 株式会社フジコー
代理人 (5件)： 中前 富士男 ,  藤本 勝誠 ,  来田 義弘 ,  今中 崇之 ,  清井 洋平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-033295
公開番号（公開出願番号）：特開2014-162666
出願日： 2013年02月22日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

【課題】緻密性が高く複雑な形状の成形体も得ることができ、機械加工を容易に施すことができるSiC成形体の製造方法、及びこのような製造方法により得られるSiC成形体を提供する。【解決手段】SiCを含有するSiC成形体の製造方法において、SiC粉末及び有機物を含む有機物成形体の加熱により前記有機物を炭化させ、炭化成形体を得る炭化工程、及び前記炭化成形体とフェロシリコンとを一の密閉空間内で加熱し、前記炭化成形体中の炭素原子と前記フェロシリコン中の珪素原子とを反応させる反応工程を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiCを含有するSiC成形体の製造方法において、 SiC粉末及び有機物を含む有機物成形体の加熱により前記有機物を炭化させ、炭化成形体を得る炭化工程、及び 前記炭化成形体とフェロシリコンとを一の密閉空間内で加熱し、前記炭化成形体中の炭素と前記フェロシリコンとを反応させる反応工程 を有することを特徴とするSiC成形体の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/573 ,  C04B 37/00

FI (2件)：

C04B35/56 101V ,  C04B37/00 B

Fターム (38件)：

4G001BA22 ,  4G001BA60 ,  4G001BA61 ,  4G001BA62 ,  4G001BA75 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BC11 ,  4G001BC13 ,  4G001BC17 ,  4G001BC22 ,  4G001BC23 ,  4G001BC31 ,  4G001BC33 ,  4G001BC35 ,  4G001BC44 ,  4G001BC47 ,  4G001BC52 ,  4G001BC54 ,  4G001BC55 ,  4G001BC62 ,  4G001BD11 ,  4G001BD12 ,  4G001BD37 ,  4G001BE11 ,  4G001BE31 ,  4G026BA13 ,  4G026BB13 ,  4G026BC01 ,  4G026BD12 ,  4G026BE04 ,  4G026BF31 ,  4G026BF46 ,  4G026BG04 ,  4G026BG05 ,  4G026BG23 ,  4G026BG25 ,  4G026BH01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 改善された炭化ケイ素複合体及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-512469   出願人：エムキューブドテクノロジーズ,インコーポレイテッド
• 溶融物浸透された繊維強化複合セラミック
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-544412   出願人：ダイムラークライスラーアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開昭61-210172