特許

J-GLOBAL ID：201403035836484057

グラフェン薄膜の製造方法、並びにグラフェン薄膜を備えた電子素子、センサー、アレイ素子およびセンシング方法

発明者： 根岸 良太 ,  小林 慶裕 ,  高坂 成時 ,  大野 恭秀 ,  前橋 兼三 ,  松本 和彦
出願人/特許権者： 国立大学法人大阪大学
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  竹岡 明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-105560
公開番号（公開出願番号）：特開2014-227304
出願日： 2013年05月17日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】酸化グラフェンを用いてグラフェン薄膜を製造する方法であって、グラフェン本来の高い移動度や高い電気伝導度などの優れた電気的特性を低下させることなくキャリア移動度が高いグラフェン薄膜を製造することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るグラフェン薄膜の製造方法は、複数の酸化グラフェンフレーク同士が一部重なり合っている酸化グラフェン薄膜を準備する工程と、酸化グラフェン薄膜に炭素含有ガスを接触させて酸化グラフェン薄膜を還元する工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の酸化グラフェンフレーク同士が一部重なり合っている酸化グラフェン薄膜を準備する工程と、 前記酸化グラフェン薄膜に炭素含有ガスを接触させて前記酸化グラフェン薄膜を還元する工程と、 を含むことを特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

C01B 31/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G01N 27/414

FI (5件)：

C01B31/02 101Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 625 ,  G01N27/30 301Z

Fターム (35件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC19B ,  4G146AC20B ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146BA11 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC22 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146CB10 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB17 ,  4G146CB32 ,  4G146CB35 ,  5F110AA24 ,  5F110BB09 ,  5F110CC07 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110NN12 ,  5F110NN15 ,  5F110NN27