特許
J-GLOBAL ID:201403036062620064
レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-173407
公開番号(公開出願番号):特開2014-006489
出願日: 2012年08月03日
公開日(公表日): 2014年01月16日
要約:
【課題】リソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、レジスト組成物における酸発生剤成分に有用な新規化合物の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、一分子内に、スルホニオ基及び一般式(b1-r-1)で表されるアニオン基を有するスルホニウム化合物(B1)を含む([式中、Y1は2価の連結基または単結合、L1はエステル結合または単結合であり、V1はフッ素原子を有する2価の炭化水素基であり、nは0または1である。ただしL1が単結合であるときn=1である。)。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)は、一分子内に、スルホニオ基及び下記一般式(b1-r-1)で表されるアニオン基を有するスルホニウム化合物(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, G03F 7/038
, H01L 21/027
, C07C 381/12
, C09K 3/00
FI (6件):
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, G03F7/038 601
, H01L21/30 502R
, C07C381/12
, C09K3/00 K
Fターム (40件):
2H125AF17P
, 2H125AF18P
, 2H125AF20P
, 2H125AF38P
, 2H125AF43P
, 2H125AF45P
, 2H125AF70P
, 2H125AH05
, 2H125AH13
, 2H125AH16
, 2H125AH17
, 2H125AH19
, 2H125AH23
, 2H125AH24
, 2H125AH29
, 2H125AJ14X
, 2H125AJ18X
, 2H125AJ63X
, 2H125AJ64X
, 2H125AJ65X
, 2H125AJ69X
, 2H125AN02P
, 2H125AN21P
, 2H125AN38P
, 2H125AN39P
, 2H125AN42P
, 2H125AN54P
, 2H125BA02P
, 2H125BA28P
, 2H125CA12
, 2H125CB09
, 2H125CC01
, 2H125CC03
, 2H125CC15
, 2H125FA03
, 2H125FA05
, 4H006AA01
, 4H006AA03
, 4H006AB99
, 4H006AC48
引用特許: