特許
J-GLOBAL ID:201403036062620064

レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-173407
公開番号(公開出願番号):特開2014-006489
出願日: 2012年08月03日
公開日(公表日): 2014年01月16日
要約:
【課題】リソグラフィー特性に優れるレジスト組成物、レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、レジスト組成物における酸発生剤成分に有用な新規化合物の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、酸発生剤成分(B)は、一分子内に、スルホニオ基及び一般式(b1-r-1)で表されるアニオン基を有するスルホニウム化合物(B1)を含む([式中、Y1は2価の連結基または単結合、L1はエステル結合または単結合であり、V1はフッ素原子を有する2価の炭化水素基であり、nは0または1である。ただしL1が単結合であるときn=1である。)。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)は、一分子内に、スルホニオ基及び下記一般式(b1-r-1)で表されるアニオン基を有するスルホニウム化合物(B1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。
IPC (6件):
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  H01L 21/027 ,  C07C 381/12 ,  C09K 3/00
FI (6件):
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  H01L21/30 502R ,  C07C381/12 ,  C09K3/00 K
Fターム (40件):
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF20P ,  2H125AF38P ,  2H125AF43P ,  2H125AF45P ,  2H125AF70P ,  2H125AH05 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH19 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ69X ,  2H125AN02P ,  2H125AN21P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN54P ,  2H125BA02P ,  2H125BA28P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB99 ,  4H006AC48
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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