特許
J-GLOBAL ID：201103035035574761

スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者：
大澤 洋一

大澤 洋一 について

, 
大橋 正樹

大橋 正樹 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-161322
公開番号（公開出願番号）：特開2011-016746
出願日： 2009年07月08日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：
【課題】ArFエキシマレーザー光、EUV等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、解像性に優れたスルホニウム塩、そのスルホニウム塩を含有するレジスト材料及びそのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(1)で示されるスルホニウム塩。(R1はフッ素原子又は他のヘテロ原子で置換されていてもよいアルキレン基等。R2はメチル基等を示し、また互いに異なるベンゼン環との酸素原子、メチレン、スルホンの連結基あるいは直接結合を示す。mは0〜5、nは0〜4。)当該スルホニウム塩を光酸発生剤として用いたレジスト材料は、レジストの解像性に優れ、レジスト材料として精密な微細加工に極めて有効である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示されるスルホニウム塩。
IPC (4件)：
C07C 381/12 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
C07C381/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (55件)：
2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF36P ,  2H125AF38P ,  2H125AH05 ,  2H125AH06 ,  2H125AH10 ,  2H125AH11 ,  2H125AH12 ,  2H125AH15 ,  2H125AH16 ,  2H125AH17 ,  2H125AH18 ,  2H125AH19 ,  2H125AH21 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ04X ,  2H125AJ08X ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ14Y ,  2H125AJ42X ,  2H125AJ45X ,  2H125AJ48X ,  2H125AJ63X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ68X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AJ92Y ,  2H125AK08 ,  2H125AK21 ,  2H125AK24 ,  2H125AK26 ,  2H125AM22P ,  2H125AM25P ,  2H125AM66P ,  2H125AM99P ,  2H125AN02P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN57P ,  2H125AN65P ,  2H125AN88P ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CB16 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  4H006AA01 ,  4H006AB40
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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