特許
J-GLOBAL ID：201403036340633547
不均化操作を伴う実質的に閉ループの方法における多結晶シリコンの製造
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 言上 惠一
, 吉田 環
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-546247
公開番号（公開出願番号）：特表2014-505649
出願日： 2011年12月16日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：
実質的に閉ループの方法およびシステムにおける多結晶シリコンの製造が開示される。方法およびシステムは概して、シランまたはジクロロシランを生成するためのトリクロロシランの不均化と、多結晶シリコンを生成するためのシランまたはジクロロシランの熱分解とを伴う。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンを製造するための実質的に閉ループの方法であって、
トリクロロシランを不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと、
不均化システムから生成するシランまたはジクロロシランを流動床反応器に導入して、多結晶シリコン、ならびに水素および未反応のシランまたはジクロロシランを含む排ガスを生成することと、
不均化システムから生成するある量の四塩化ケイ素と、前記排ガスからのある量の水素とを水素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび塩化水素を生成することと、
水素化反応器から生成するある量の塩化水素と、シリコンとを塩素化反応器に導入して、トリクロロシランおよび四塩化ケイ素を含む塩素化ガスを生成することと、
塩素化反応器から生成するトリクロロシランを前記不均化システムに導入して、四塩化ケイ素、ならびにシランおよびジクロロシランの少なくとも一方を生成することと
を含む、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4G072AA01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072HH07
, 4G072HH08
, 4G072HH09
, 4G072JJ01
, 4G072JJ14
, 4G072MM01
, 4G072MM03
, 4G072MM09
, 4G072RR02
, 4G072RR11
, 4G072UU02
