特許
J-GLOBAL ID：201403038819542247
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-140328
公開番号（公開出願番号）：特開2014-007209
出願日： 2012年06月22日
公開日（公表日）： 2014年01月16日
要約：
【課題】パワー半導体モジュールと放熱機構部との間の電気的絶縁性を向上し、かつ、パワー半導体モジュールと放熱機構部との間の熱抵抗を小さくして、冷却性能のばらつきを低減し信頼性を向上することである。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、流路形成体が、第1開口と、第2開口と、第3開口と、前第4開口と、を形成し、前記第1開口は、第1絶縁部材を介してパワー半導体モジュールと接続される第1放熱ベースにより塞がれ、前記第2開口は、第2絶縁部材を介して前記パワー半導体モジュールと接続される第2放熱ベースにより塞がれ、前記第3開口は、前記第1放熱ベースとの間に冷媒を流す第1流路の空間を形成するように第1カバーにより塞がれ、前記第4開口は、前記第2放熱ベースとの間に冷媒を流す第2流路の空間を形成するように第2カバーにより塞がれる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体素子を有するパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールを収納する流路形成体と、を備え、
前記流路形成体は、前記パワー半導体モジュールの一方の面と対向する面に第1開口と、前記パワー半導体モジュールの他方の面と対向する面に第2開口と、前記第1開口を挟んで前記パワー半導体モジュールとは反対側に形成される第3開口と、前記第2開口を挟んで前記パワー半導体モジュールとは反対側に形成される第4開口と、を形成し、
前記第1開口は、第1絶縁部材を介して前記パワー半導体モジュールと接続される第1放熱ベースにより塞がれ、
前記第2開口は、第2絶縁部材を介して前記パワー半導体モジュールと接続される第2放熱ベースにより塞がれ、
前記第3開口は、前記第1放熱ベースとの間に冷媒を流す第1流路の空間を形成するように第1カバーにより塞がれ、
前記第4開口は、前記第2放熱ベースとの間に冷媒を流す第2流路の空間を形成するように第2カバーにより塞がれる半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/34 A
, H01L23/46 Z
5F136BC05
, 5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136DA27
, 5F136EA66
