特許
J-GLOBAL ID:201203017320708690
半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-143058
公開番号(公開出願番号):特開2012-009568
出願日: 2010年06月23日
公開日(公表日): 2012年01月12日
要約:
【課題】ユニット表面が傷ついたとしても、中身の半導体チップ等についてはリユースすることができる構造の半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体チップ11等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部21にて覆うことで耐熱性を確保しつつ、熱硬化性樹脂モールド部21の外縁部を熱可塑性樹脂モールド部22にて覆う。また、熱可塑性樹脂モールド部22によって水路30の一部を構成し、半導体チップ11等の構成部品を熱硬化性樹脂モールド部21および熱可塑性樹脂モールド部22にて覆ったユニット10を積層することで、冷却機構を構成する水路30が内蔵された構造を構成する。このような構成とすることで、熱可塑性樹脂モールド部22のみに傷がついたような場合には、熱可塑性樹脂モールド部22を加熱して軟化させて除去し、熱可塑性樹脂モールド部22以外の部分を用いてリビルト品を製造すれば、リユースすることができる。【選択図】図2
請求項(抜粋):
表面および裏面を有し、半導体パワー素子が形成された半導体チップ(11)と、
前記半導体チップ(11)の裏面側に接続される第1ヒートスプレッダ(13)と、
前記半導体チップ(11)の表面側に接続される第2ヒートスプレッダ(14)と、
前記半導体パワー素子に電気的に接続される端子(15〜17)と、
前記半導体パワー素子に電気的に接続された前記端子(15〜17)の一部を露出させると共に、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)のうち前記半導体チップ(11)と反対側の面を露出させつつ、前記半導体チップ(11)、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)および前記端子(15〜17)を覆い、かつ、冷媒が流される冷媒通路の一部を構成する樹脂モールド部(20)と、を有し、
前記半導体チップ(11)、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)、前記端子(15〜17)を前記樹脂モールド部(20)にてモールド化したものを1つのユニット(10)として、該ユニット(10)を蓋部(40)と冷媒入口および冷媒出口を構成するパイプ(41a、41b)が備えられたパイプ付蓋部(41)にて挟み込み、かつ、前記ユニット(10)と前記蓋部(40)および前記パイプ付蓋部(41)を固定具(43)にて固定した半導体モジュールであって、
前記樹脂モールド部(20)は、
前記半導体パワー素子に電気的に接続された前記端子(15〜17)の一部を露出させると共に、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)のうち前記半導体チップ(11)と反対側の面を露出させつつ、前記半導体チップ(11)、前記第1、第2ヒートスプレッダ(13、14)および前記端子(15〜17)を覆う第1樹脂にて構成された第1樹脂モールド部(21)と、
前記第1樹脂モールド部(21)の外縁部を覆いつつ、前記冷媒通路(30)の一部を構成し、かつ、前記第1樹脂よりも軟化温度が低い第2樹脂で構成された第2樹脂モールド部(22)とによって構成されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (5件):
H01L 23/473
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (3件):
H01L23/46 Z
, H01L23/30 B
, H01L25/04 C
Fターム (19件):
4M109AA01
, 4M109BA07
, 4M109CA21
, 4M109CA22
, 4M109DA02
, 4M109DB01
, 4M109EA02
, 4M109EA11
, 4M109EA12
, 4M109EA13
, 4M109EE03
, 4M109EE20
, 4M109GA05
, 5F136BA30
, 5F136BB07
, 5F136BC02
, 5F136CB01
, 5F136DA27
, 5F136EA13
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
電子回路装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-071201
出願人:株式会社日立製作所
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-326117
出願人:株式会社デンソー
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-188634
出願人:三菱電機株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-241325
出願人:トヨタ自動車株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-246334
出願人:株式会社東芝
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