特許

J-GLOBAL ID：201403038967979000

酸化物層及び酸化物層の製造方法、並びにその酸化物層を備えるキャパシタ、半導体装置、及び微小電気機械システム

発明者： 下田 達也 ,  ▲徳▼光 永輔 ,  尾上 允敏 ,  宮迫 毅明
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046550
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175453
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】高い誘電率を備えたビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層を提供する。【解決手段】本発明の1つの酸化物層30は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備えている。加えて、酸化物層30が、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有している。その結果、従来法では得られなかった高い誘電率を備えたビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物を含む酸化物層30を得ることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、 前記酸化物層がパイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、 酸化物層。

IPC (5件)：

H01G 4/33 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01G 4/12 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01G4/06 102 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01G4/12 397 ,  H01G4/12 400 ,  H01L21/316 B

Fターム (24件)：

5E001AB01 ,  5E001AC10 ,  5E001AE00 ,  5E001AH00 ,  5E001AH01 ,  5E001AJ01 ,  5E082AB01 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082MM40 ,  5E082PP03 ,  5E082PP06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F110GG01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第5278717号
  
• 特許第5293983号
  
• 誘電体材料およびセラミック部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-023558   出願人：ティーディーケイ株式会社