特許

J-GLOBAL ID：201403039924684584

ストレージ・クラス・メモリ情報格納コマンド

発明者： ゲイニー ジュニア、チャールズ ,  オークス、ケネス、ジェイムズ ,  マシアス、トマス、ブライアン ,  スエッド、ピーター、ケネス ,  ドリーヴァー、ピーター、ダナ ,  サットン、ピーター、グリム ,  ユデンフレンド、ハリー ,  ツォーツァトス、エルピダ ,  グラッセン、スティーヴン、ガードナー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (2件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-509772
特許番号：特許第5607857号
出願日： 2012年05月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メイン・ストレージと、ストレージ・クラス・メモリ(フラッシュ・メモリを実装したI/Oアダプタおよびソリッド・ステート・デバイスを含む。以下同じ。)とを含むコンピューティング環境において、ストレージ・クラス・メモリ情報格納コマンドを実行する命令を実行する方法であって、前記方法は、 入出力(I/O)サブシステムによって要求ブロックを取得するステップであって、前記要求ブロックは、前記ストレージ・クラス・メモリ情報格納コマンドを示すコマンド・コードを含む、前記取得するステップと、 前記コマンド・コードに基づき、前記I/Oサブシステムによって前記ストレージ・クラス・メモリに関する情報を取得するステップと、 応答ブロックに前記情報を格納するステップであって、前記応答ブロックは、ヘッダ・エリアと、ストレージ・クラス・メモリ・アドレスの1つ以上の範囲を占有する1つ以上のストレージ・クラス・メモリ・インクリメントを表す1つ以上のエントリのストレージ・クラス・メモリ・アドレス・リストとを含むように構成されており、前記情報を格納するステップは、ヘッダ情報を前記ヘッダ・エリアに格納するステップ、および前記1つ以上のエントリを前記応答ブロックに格納するステップを含み、前記ヘッダ・エリアは、1つ以上のエントリの前記リストについてのパラメータを含み、前記パラメータは、ストレージ・クラス・メモリ・インクリメントのサイズのインジケーションを含む、前記情報を格納するステップと を含む、方法。

IPC (2件)：

G06F 3/06 ( 200 6.01) ,  G06F 3/08 ( 200 6.01)

FI (2件)：

G06F 3/06 301 F ,  G06F 3/08 H

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体記憶装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-019546   出願人：株式会社東芝
• ストレージシステムとストレージ装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-252989   出願人：株式会社日立製作所
• アドレス予測機能をもつ不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-055835   出願人：松下電器産業株式会社
• 入出力データ管理方式
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-092714   出願人：日本電気エンジニアリング株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-019546   出願人：株式会社東芝
• ストレージシステムとストレージ装置及びその制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-252989   出願人：株式会社日立製作所
• アドレス予測機能をもつ不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-055835   出願人：松下電器産業株式会社
• 入出力データ管理方式
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-092714   出願人：日本電気エンジニアリング株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• フラッシュ・メモリ 危うし,ついに「王座陥落」の時

審査官引用 (2件)

• フラッシュ・メモリ 危うし,ついに「王座陥落」の時
• フラッシュ・メモリ 危うし,ついに「王座陥落」の時