特許
J-GLOBAL ID：201403040104105600

SiC成形体およびSiC成形体の製造方法

発明者：
杉原 孝臣

杉原 孝臣 について

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朝倉 正明

朝倉 正明 について

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徳永 武士

徳永 武士 について

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貞木 哲也

貞木 哲也 について


出願人/特許権者：
東海カーボン株式会社

東海カーボン株式会社 について


代理人 (4件)： 赤塚 賢次 ,  福田 保夫 ,  阪田 泰之 ,  渋谷 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-171002
公開番号（公開出願番号）：特開2014-031527
出願日： 2012年08月01日
公開日（公表日）： 2014年02月20日
要約：
【課題】半導体製造工程で使用されるエッチャー用部材等として好適に使用することができる、光透過性が低く抵抗率が高いCVD-SiC成形体を提供する。【解決手段】CVD法により形成されてなるSiC成形体であって、ホウ素原子を1〜30質量ppm、窒素原子を100質量ppm超1000質量ppm以下含み、好ましくは抵抗率が10Ω・cm超100000Ω・cm以下、波長950nmにおける光透過率が0〜1%であるSiC成形体を提供するものである。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
CVD法により形成されてなるSiC成形体であって、ホウ素原子を1〜30質量ppm、窒素原子を100質量ppm超1000質量ppm以下含むことを特徴とするSiC成形体。
IPC (2件)：
C23C 16/42 ,  H01L 21/306
FI (2件)：
C23C16/42 ,  H01L21/302 101Z
Fターム (11件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA02 ,  5F004BB29
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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