特許
J-GLOBAL ID：201403040817508755
複合荷電粒子ビーム装置及び薄片試料加工方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
濱田 百合子
, 橋本 公秀
, 吉田 将明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-174802
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063726
出願日： 2013年08月26日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：
【課題】半導体デバイスなどの構造物を有する試料の薄片化であっても、仕上げ加工に伴うカーテン効果を抑制し、イオンビーム加工で形成された筋の少ない観察像の取得を図ること。【解決手段】薄片試料7にFIB1bを照射するFIB鏡筒1と、GIB3bを照射するGIB鏡筒3と、薄片試料7を載置する試料台5と、FIB照射軸1aに対し直交し、かつ、FIB照射軸1aとGIB照射軸3aとがなす第一の面21の面内にある試料台5の第一の傾斜軸8aを中心に薄片試料7を傾斜させる第一の傾斜手段と、FIB照射軸1aと、第一の傾斜軸8aと、に対し直交する軸を中心に薄片試料7を傾斜させる第二の傾斜手段と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄片試料に第一の荷電粒子ビームを照射する第一の荷電粒子ビーム鏡筒と、
前記薄片試料の前記第一の荷電粒子ビームの照射位置に第二の荷電粒子ビームを照射する第二の荷電粒子ビーム鏡筒と、
前記薄片試料を載置する試料台と、
前記第一の荷電粒子ビーム鏡筒の照射軸に対し直交し、かつ、前記第一の荷電粒子ビーム鏡筒の照射軸と前記第二の荷電粒子ビーム鏡筒の照射軸とがなす面の面内にある前記試料台の第一の傾斜軸を中心に前記薄片試料を傾斜させる第一の傾斜手段と、
前記第一の荷電粒子ビーム鏡筒の照射軸と、前記第一の傾斜軸と、に対し直交する軸を中心に前記薄片試料を傾斜させる第二の傾斜手段と、を有する複合荷電粒子ビーム装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, G01N 1/28
, H01J 37/20
, H01J 37/28
H01J37/317 D
, G01N1/28 F
, G01N1/28 G
, H01J37/20 A
, H01J37/28 B
, H01J37/28 Z
2G052AA13
, 2G052EC14
, 2G052EC18
, 2G052EC22
, 2G052GA35
, 5C001AA01
, 5C001AA05
, 5C001CC08
, 5C033UU03
, 5C033UU10
, 5C034DD09
