特許

J-GLOBAL ID：201403041393554812

光電変換素子、その製造方法およびそれを用いた太陽電池

発明者： 山根 千草 ,  磯部 和也
出願人/特許権者： コニカミノルタ株式会社
代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-147564
公開番号（公開出願番号）：特開2014-011054
出願日： 2012年06月29日
公開日（公表日）： 2014年01月20日
要約：

【課題】光電変換効率に優れる光電変換素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも、透明導電性基板上にバッファ層、半導体および増感色素を含有する光電変換層、電荷輸送層、ならびに対極を備え、透明導電性基板表面の凹凸の平均間隔RSm1とバッファ層の凹凸の平均間隔RSm2が、0.9≦RSm2/RSm1≦1.3の関係を有し、かつ、透明導電性基板表面の算術平均粗さRa1と、バッファ層の算術平均粗さRa2が、(Ra1-Ra2)/Ra1≦0.7の関係を有する光電変換素子。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

透明導電性基板上に、バッファ層、半導体および増感色素を含有する光電変換層、電荷輸送層、ならびに対極を設けてなる光電変換素子であって、 前記透明導電性基板の凹凸の平均間隔RSm1とバッファ層の凹凸の平均間隔RSm2とが、0.9≦RSm2/RSm1≦1.3の関係を有し、 かつ、前記透明導電性基板の算術平均粗さRa1と、バッファ層の算術平均粗さRa2とが、(Ra1-Ra2)/Ra1≦0.7の関係を有することを特徴とする、光電変換素子。

IPC (2件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (13件)：

5F151AA14 ,  5F151FA03 ,  5F151FA06 ,  5F151FA08 ,  5F151GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板上での多孔質半導体膜の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-508738   出願人：ソニードイチュラントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング