特許
J-GLOBAL ID：200903072383824873

基板上での多孔質半導体膜の製造方法

発明者：
ドゥア、ミッチェル

ドゥア、ミッチェル について

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シュミット、アンドレアス

シュミット、アンドレアス について

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ネレス、ガブリエーレ

ネレス、ガブリエーレ について

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安田 章夫

安田 章夫 について


出願人/特許権者：
ソニー ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

ソニー ドイチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-508738
公開番号（公開出願番号）：特表2007-534119
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：
本発明は、多孔質半導体膜の製造方法と、そのような製造から得られる膜に関する。さらに、そのような膜を組み込んだ電子デバイスと、そのような膜の可能な使用に関する。
請求項（抜粋）：
a)第1基板上に、接着層に付けられた多孔質半導体層と前記第1基板の間の電気的かつ機械的な接触を供することができる接着層を形成する工程と、 b)第2基板上に多孔質半導体層を形成する工程と、 c)前記多孔質半導体層を前記接着層上に転写する工程と、 工程b)またはc)の後で、任意に、nは2〜100の整数、好ましくは2〜20、さらに好ましくは2〜10であって、第3、第4、第5、・・・第n、第n+1基板上に、第2、第3、第4、・・・第n多孔質半導体膜を形成する工程と、前記第2、第3、第4、第5、・・・第n多孔質半導体膜を前記第1、第2、第3、第4、・・・第n-1多孔質半導体膜上にそれぞれ転写する工程と、さらに任意に、ひとつ、いくつか、または、第2、第3、第4、第5、・・・第n多孔質半導体層のそれぞれの上に、上層に次の半導体層がそれぞれ転写される、さらなる接着層を形成する工程と を有する基板上での多孔質半導体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  B82B 3/00 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  B82B3/00 ,  H01L21/205
Fターム (34件)：
5F045AB40 ,  5F045CA13 ,  5F045EB19 ,  5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051GA02 ,  5F051GA05 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS19 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032BB07 ,  5H032BB10 ,  5H032CC11 ,  5H032CC14 ,  5H032EE01 ,  5H032EE02 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE12 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04 ,  5H032HH05 ,  5H032HH06 ,  5H032HH07 ,  5H032HH10
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • WO91/16719号パンフレット
  • H. Lindstroem, et al, ナノ構造薄膜電極の製造方法,WO00/72373号パンフレット
審査官引用 (7件)
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