切断位置の決定方法、単結晶インゴットの切断方法、及び切断位置の決定システム

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-026563
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157854
出願日： 2013年02月14日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
要約：

【課題】有転位化したインゴットについて転位境界位置を正確に判断することができ、適切な切断位置を決定することで製品歩留まりを向上できる切断位置の決定方法及び決定システム、並びに単結晶インゴットの切断方法を提供することを目的とする。【解決手段】有転位化した単結晶インゴットの切断位置の決定方法であって、前記単結晶インゴットの外周面にレーザー光を照射し、反射光を受光してスリップ転位長さを検出する工程と、該検出したスリップ転位の長さに基づいて前記単結晶インゴットの切断位置を決定する工程を有することを特徴とする切断位置の決定方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

有転位化した単結晶インゴットの切断位置の決定方法であって、前記単結晶インゴットの外周面にレーザー光を照射し、反射光を受光してスリップ転位長さを検出する工程と、該検出したスリップ転位の長さに基づいて前記単結晶インゴットの切断位置を決定する工程を有することを特徴とする切断位置の決定方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (1件)：

H01L21/304 611B

Fターム (6件)：

5F057AA12 , 5F057AA19 , 5F057BA01 , 5F057CA03 , 5F057GB02 , 5F057GB20

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭59-003245
シリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-099084 出願人：信越半導体株式会社
特許第6175652号

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