特許
J-GLOBAL ID：201403042996747417
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川上 光治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-061346
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187228
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】チップ積層構造のアライメントを容易にし、効果的な冷却を実現する半導体装置を提供する。【解決手段】第1半導体チップ1と第2半導体チップ2の間に挟まれ、一端と他端寄りに第1、第2マニホールド6b、6cが形成され、第1マニホールド6bから第2マニホールド6cに至る領域に複数の溝6aが形成されたマイクロチャネルチップ6と、第1半導体チップ1から第2半導体チップへの厚さ方向に連続して形成され、第1マニホールド6に繋がる第1アライメント穴10aと、第1半導体チップ1から第2半導体チップ2へ厚さ方向に連続して形成され、第2マニホールド6cに繋がる第2アライメント穴10dと、第1アライメント穴10aに嵌め込まれ、第1マニホールド6bに繋がる第1開口部11aが形成された第1アライメント配管11と、第2アライメント穴10dに嵌め込まれ、第2マニホールド6cに繋がる第2開口部14aを含む第2アライメント配管14と、を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
第1半導体チップの上に積層される第2半導体チップと、
前記第1半導体チップと前記第2半導体チップの間に挟まれ、一端寄りに第1マニホールド、他端寄りに第2マニホールドがそれぞれ形成され、前記第1マニホールドから前記第2マニホールドに至る領域に延在する複数の第1溝が形成された第1マイクロチャネルチップと、
前記第1半導体チップ、前記第1マイクロチャネルチップ及び前記第2半導体チップの厚さ方向に連続して形成され、前記第1マニホールドに繋がる第1アライメント穴と、
前記第1半導体チップ、前記第1マイクロチャネルチップ及び前記第2半導体チップの厚さ方向に連続して形成され、前記第2マニホールドに繋がる第2アライメント穴と、
前記第1アライメント穴に嵌め込まれ、前記第1マニホールドに繋がる第1開口部が形成された第1アライメント配管と、
前記第2アライメント穴に嵌め込まれ、前記第2マニホールドに繋がる第2開口部を含む第2アライメント配管と、
を有する半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/10
, H01L 25/11
, H01L 25/18
, H01L 23/473
H01L25/14 Z
, H01L23/46 Z
5F136BA02
, 5F136BA22
, 5F136CB07
, 5F136CB08
, 5F136CB11
, 5F136CB13
, 5F136CB28
, 5F136DA13
, 5F136DA41
, 5F136EA40
