特許
J-GLOBAL ID：201403043543555211

磁気メモリ

発明者：
下村 尚治

下村 尚治 について

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北川 英二

北川 英二 について

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鎌田 親義

鎌田 親義 について

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天野 実

天野 実 について

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大沢 裕一

大沢 裕一 について

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才田 大輔

才田 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (17件)： 特許業務法人スズエ国際特許事務所 ,  蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  白根 俊郎 ,  峰 隆司 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210980
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067810
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：
【課題】参照層の飽和磁化によらず、記憶層のRHカーブのシフトを補正可能にする。【解決手段】実施形態に係わる磁気メモリは、第1の方向に、記憶層10、トンネルバリア層11及び参照層12の順番で配置される積層構造を備え、第1の方向に交差する第2の方向に並ぶ複数の磁気抵抗素子MTJと、第2の方向に延び、複数の磁気抵抗素子MTJに共通に接続される導電線18と、複数の磁気抵抗素子MTJの記憶層10をそれぞれ取り囲む絶縁層17と、複数の磁気抵抗素子MTJの第2の方向の端部に隣接して配置されるシフト補正層13とを備える。そして、第3の方向に並ぶ2つのシフト補正層13は、互いに分断される。また、参照層12の磁化方向とシフト補正層13の磁化方向は、同じである。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
垂直かつ可変の磁化を持つ記憶層、トンネルバリア層、及び、垂直かつ不変の磁化を持つ参照層を備え、これらの層が第1の方向にこの順番で積層される第1の磁気抵抗素子と、 前記第1の方向に交差する方向に前記記憶層に対して並んで設けられ、垂直かつ不変の磁化を持つ第1のシフト補正層とを具備し、 前記参照層の磁化方向と前記第1のシフト補正層の磁化方向は、同じであり、 前記第1のシフト補正層は、前記記憶層の前記トンネルバリア層側とは反対側の表面よりも、前記トンネルバリア層側とは反対側に突出する 磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/08 Z
Fターム (38件)：
4M119AA03 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD55 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF16 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ15 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BB90 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092BC43 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092GA03
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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