磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383924
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150303
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】熱揺らぎ耐性が高く、かつ磁化自由層の実効的なスイッチング磁場の低い磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の強磁性層/トンネル障壁層/第2の強磁性層の3層構造を含む強磁性トンネル接合を有し、かつ前記第1の強磁性層が前記第2の強磁性層よりも保磁力が大きく、かつ前記2つの強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化する磁気抵抗効果素子において、前記第2の強磁性層の端部が前記第2の強磁性層の磁化容易軸方向と直交する成分を持つ方向に固着されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の強磁性層/トンネル障壁層/第2の強磁性層の3層構造を含む強磁性トンネル接合を有し、前記第1の強磁性層は前記第2の強磁性層よりも保磁力が大きく、前記2つの強磁性層の磁化の相対的角度によりトンネルコンダクタンスが変化する磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層の端部の磁化が前記第2の強磁性層の磁化容易軸方向と直交する成分を持つ方向に固着されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L43/08 , G01R33/09 , G11C11/15 , H01F10/32 , H01L27/105

FI (5件)：

H01L43/08 Z , G11C11/15 112 , H01F10/32 , G01R33/06 R , H01L27/10 447

Fターム (12件)：

2G017AD55 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB01 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05

引用特許：

出願人引用 (7件)

米国特許第5,640,343号明細書
米国特許第5,650,958号明細書
米国特許第5,953,248号明細書

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審査官引用 (4件)

センス層における磁化の混乱を防ぐ構造要素を有する磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-018564 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
磁気スイッチング素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-397386 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-295146 出願人：株式会社東芝

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