特許
J-GLOBAL ID：201403043661886036

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板載置方法

発明者：
吉田 秀成

吉田 秀成 について

, 
谷山 智志

谷山 智志 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-210760
公開番号（公開出願番号）：特開2014-067798
出願日： 2012年09月25日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：
【課題】従来装置では、ボートによってウェハ外周が保持されるため、ウェハ裏面にも膜が成膜されてしまい、裏面に生成された膜はエッチングによって除去する必要があるため、スループットが低下してしまう。【解決手段】 サセプタホルダとウェハホルダを組み合わせ、ウェハの裏面にサセプタを重ねて保持し、重ねたまま、ボートへ搬入・搬出することで、ウェハ裏面に成膜せず、スループットの向上を図る。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
基板を処理する反応管と、 前記基板を複数枚保持する保持部を備える第1の基板保持具と、 前記基板を載置する載置板と、 前記載置板を保持する載置板保持部と前記載置板保持部の下部に設けられて前記第1の基板保持具が脱挿可能な環状の支持部とを備える載置板保持具と、 前記載置板に載置された前記基板を移載する移載装置と、 前記移載装置によって移載された前記載置板と前記基板を保持し、前記反応管に搬入される第2の基板保持具と、 を有する基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/677
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L21/68 N ,  H01L21/68 A
Fターム (26件)：
5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045BB08 ,  5F045DP18 ,  5F045DP19 ,  5F045EM02 ,  5F045EM08 ,  5F045EN04 ,  5F045EN05 ,  5F131AA02 ,  5F131BA02 ,  5F131BA04 ,  5F131CA70 ,  5F131DA07 ,  5F131DA32 ,  5F131DA33 ,  5F131DA43 ,  5F131DB03 ,  5F131DB52 ,  5F131DB62 ,  5F131DB76 ,  5F131EC02 ,  5F131EC15 ,  5F131GA14
引用特許：
出願人引用 (1件)

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